近日,网友8090的搞笑回忆发了一条题为“火”字该怎么写的微博。这么简单的字有什么好纠结的?但细看博文和文后图片,记者也纠结了。这也引发了一次关于“有多少字我们没写对”的热烈讨论……
相关妙招:字不认识怎么办?有的字不认识怎么读怎么办?
博友热议:微博提问“火”字该怎么写,火了!
王子读小学一年级,昨天妈妈小敏在辅导他写作业时,俩人因为笔顺的问题争得面红耳赤。原来,国家语委会对个别生字的笔顺进行调整……这些字,你都写对了吗?
我们究竟有多少字“不会写”
一看图瞬间我就凌乱了:“晕!错了?从小写到大的‘火’啊,你怎么就不是那个‘火’了呢?”
记得上小学时,学校老师对汉字笔顺的要求十分严格,“一代火”应该是一点一撇再一短撇一捺这么写出来的,可这“二代火”却偏偏要一点一短撇再写“人”,写起来着实不顺手。
笔顺调整究竟是咋回事儿?
再看微博后的转发和评论,已然过千。昕昕小太阳苦恼:“为什么我学的都是错的那个?尤其是火……”
大多博友感叹:“跟不上时代的脚步了……”可也有人认为写出来是对的就行,干吗纠结笔顺呢?还有博友专门查阅了汉字笔顺规范,浅颜ever说 :“我本来是不信的,查了一下汉字笔顺规范,发现还真是……”
当然也有博友淡定地表示,这已不是新改的笔顺,至少有15年了。Asa很好勿念说:“我小学就改了啊,手机笔画输入法一直是这样的……火的写法确实这样更符合中国书法的习惯。方的写法也一直都是这样的,就像‘力’和‘刀’一样,确实这么写好看!”
若这是事实,那国家语委会到底调整了多少汉字的笔顺?究竟是何时调整的?又为何要调整呢?
记者调查:15年前汉字笔顺无规则
记者查询了有关现代汉字笔顺的规范,1988年3月25日国家语言文字工作委员会和新闻出版署联合发布的《现代汉语通用字表》确定了7000个汉字的规范笔顺。
但字表中的字未列出跟随式笔顺,使用时只能根据字序进行推断,在应用中因理解和推断不同出现了汉字笔顺的不规范现象。因此,国家语言文字工作委员会和新闻出版署决定对现行规范笔顺进行完善,形成了现在的《现代汉语通用字笔顺规范》。此规范由国家语委标准化工作委员会编写,语文出版社1997年出版。
规范笔顺完善的具体内容有3个方面:一是在《现代汉语通用字表》的基础上,把隐性的规范笔顺变成显性的,列出了7000个汉字的跟随式笔顺;二是明确了字表 中“火”、“叉”、“鬯”、“爽”等一些字的笔顺;三是调整了“敝”、“脊”两个字的笔顺。
这笔顺连语文老师也觉得意外
田老师在中原区伏牛路四小教语文,笔顺规范是小学一年级要教的。不过,当说起调整的部分笔画的顺序,她还是感觉有些意外。
“忄,从左到右先写点,再写竖,再写点。”“啊?不对?先写点和点,再写竖?”她说都不知道是什么时候改的。
据了解,平时语文老师教写汉字的时候,遵循的书写规则是“先左后右,先中间后两边,先写里面再写外面”。
田老师说,笔顺规范还是很有必要的。按照规范的笔顺书写汉字,写出来会很好看。笔顺混乱,写出来的字就不好看。
但从小学三年级开始,学校就不再考查学生对笔顺的掌握情况。不少同学是按照习惯写字的,笔顺不对。
田老师说,小学一年级的学生写“口”字,两笔就完成了,先写竖,后两笔合成了一笔,看着就很难看。
目前对笔顺的规范书写,并没有一个统一的标准。不少语文老师采用的书写规则,和《现代汉语通用字笔顺规范》中要求的并不太一致。
学一学:这些字你都会写吗?
万:先写横,再写横折钩,后写撇。
及:先写撇,再写横折折撇,后写捺。
爽:先写横,再从左到右写四个“×”,最后写“人”。
凸:先写左边的竖,接着写短横和竖,然后写横折折折,最后写下边的长横。
凹:先写左边的竖,接着写横竖折折,然后写竖和横折,最后写下边的长横。
出:先写竖折,然后写短竖,再写中间从上到下的长竖,最后是竖折和短竖。
义:先写点,再写撇和捺。点在上边或左上边的要先写;点在右边或字里面的要后写。
匚:先写上面的横,然后写里面的部分,最后写折。
噩:横、竖写后,写上边的左右两个“口”,再写中间的横和横下的两个“口”,最后写一长横。
里(理、童):先写甲,后写二。
重(踵、董):撇、横、写曰,[中]竖、再写二。
母:末三笔为点、横、点,首两笔竖折、横折钩收尾处要相交叉。
车:车做独体字时笔顺为横、竖折、横、竖,即最后两笔要先写横后写竖;而车做左偏旁时(轻、较、转)最后两笔要先写竖后写变了形的横(提)。
冒(帽、瑁、冕、勖):上部部件第三笔、第四笔不触及到左、右两边,有时可写成秃宝盖下加二。
鬯(chàng)中间的那个“小花”如何写?撇、斜点、[上]点、[左]点、[右]点、[下]点。
随着科技的进步,我们更多的东西都开始依然计算机等设备了,到如今还有多少人能写毛笔字?你又有多少字不会写,多少字不会读了呢?
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火字,不会写
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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。