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升级内存需要看哪些参数？首先来简单的回顾内存的划分：
DDR时代
SDRAM的升级版本，更快的访问速度。技术上较上一代产品无太大的革新。
DDR2时代
简单概述就是内存的一个革命性的发展时代，全新的借口模式，全新的存储颗粒，全新的工艺制造更加精细的结构。 不过在2011年看来几乎是可以退出市场的产品了，新装的机器基本不可能选择装这种内存。目前还在购买的用户也只是不愿意升级平台无法安装最新的DDR3内存。因此不做过的篇幅进行说明，是在是没有意义的吐糟……
DDR3时代
DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：
1.8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，提高了读取的宽度减少读取频率过高的负担。
2.采用点对点的拓朴架构，优化访问结构更加有效的处理数据
3.采用100nm以下的生产工艺，降低电压。
内存的选取上基本看3大项。
第一考虑的是主频，因为不同的主频的内存插在一起或者是主板根本不支持的主板会产生兼容性的问题的。
例如 你的主板支持800/1066/1333之类的，并不是说你的主板可以同时插这几种不同的规格。
比如你插的第一条是800MHz，第二条是1066MHz的。其结果是1066降到800运行，这是一个“水桶效应”你的主板支持多少，在主板的包装盒和说明书上都有详细的标注。
而且，内存品牌最好一致，否则不同厂商使用的不同工艺即使在参数一致的情况下也有可能出现不兼容的情况。
第二是容量，虽然说内存的容量越大越好。但说实话一般用户使用4G的内存已经绰绰有余了。而且，32位的Winodws系统也只能支持到3.25G的内存容量。再大的系统就无法识别了。所以，如果要升级到4G以上就必须使用64位的系统了。
我不知道你的系统是多少位的，所以只能告诉你有这个限制。你可以右击“我的电脑”选择“属性”里面有写你的系统是多少位的。
第三就是CL延迟，这个词比较专业无法三言两语和普通话来说明了。你看看下面的说明吧，我尽量简单说明
CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。这是一个生产工艺导致的问题，因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。 (代表了生产商的品质)
还有另的诠释：内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。
DDR时代
SDRAM的升级版本，更快的访问速度。技术上较上一代产品无太大的革新。
DDR2时代
简单概述就是内存的一个革命性的发展时代，全新的借口模式，全新的存储颗粒，全新的工艺制造更加精细的结构。 不过在2011年看来几乎是可以退出市场的产品了，新装的机器基本不可能选择装这种内存。目前还在购买的用户也只是不愿意升级平台无法安装最新的DDR3内存。因此不做过的篇幅进行说明，是在是没有意义的吐糟……
DDR3时代
DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：
1.8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，提高了读取的宽度减少读取频率过高的负担。
2.采用点对点的拓朴架构，优化访问结构更加有效的处理数据
3.采用100nm以下的生产工艺，降低电压。
内存的选取上基本看3大项。
第一考虑的是主频，因为不同的主频的内存插在一起或者是主板根本不支持的主板会产生兼容性的问题的。
例如 你的主板支持800/1066/1333之类的，并不是说你的主板可以同时插这几种不同的规格。
比如你插的第一条是800MHz，第二条是1066MHz的。其结果是1066降到800运行，这是一个“水桶效应”你的主板支持多少，在主板的包装盒和说明书上都有详细的标注。
而且，内存品牌最好一致，否则不同厂商使用的不同工艺即使在参数一致的情况下也有可能出现不兼容的情况。
第二是容量，虽然说内存的容量越大越好。但说实话一般用户使用4G的内存已经绰绰有余了。而且，32位的Winodws系统也只能支持到3.25G的内存容量。再大的系统就无法识别了。所以，如果要升级到4G以上就必须使用64位的系统了。
我不知道你的系统是多少位的，所以只能告诉你有这个限制。你可以右击“我的电脑”选择“属性”里面有写你的系统是多少位的。
第三就是CL延迟，这个词比较专业无法三言两语和普通话来说明了。你看看下面的说明吧，我尽量简单说明
CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。这是一个生产工艺导致的问题，因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。 (代表了生产商的品质)
还有另的诠释：内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。
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升级内存,电脑加内存
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RTX 5090要首发 性能要翻倍！三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB，每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps（PAM3），但也可以降至28 Gbps，以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示，GDDR7内存的能效将提高20%，同时工作电压仅为1.1V，低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计，使得在高速运行时的发热量降低，GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。