手上有几个闲置EMMC 型号THGBMFG8C2LBAIL 32G内存 Toshiba闪存。
宝买了主控和壳，这里说下买的是双贴的3.0电脑B ; 安国主控没有3.0的不需要量产焊接完认盘直接格式化，NS1081方案的3.0双贴需要量产才能运用。 那么由于手上的是32G，所以双面组64G理论上双贴速度会更快， 此主控单面最大支持128GB。
直接开始。
焊盘上已经上锡，EMMC也是全新所以要拖掉 不然锡球会过大，短路。
旧EMMC可不用值球，但电脑B上不能拖锡，保证一面有锡球就OK。
找个东西压住USB头，防止吹的时候动。
焊盘拖锡后用洗板水洗干净，再加热下焊盘，以方便均匀涂抹助焊剂，风枪温度320 风速2 温度高会导致EMMC破坏。
以我的方式加热10秒左右，镊子轻推EMMC 能归位即可。
装好一面，为什么这个EMMC不是32呢，原因是装错了一个 这个是三星16GB的。
打开量产工具，选择NS1081。
更新固件，分区格式化，点击下面的执行所有，就OK。
量产过程中灯会快闪。
已经可以读到32G再装 第二片，一样的过程。
双贴完成，再量产。
64G完美成功，不过另外一个失败告终。
装的时候可能里面有什么物体(个_个)住，拆了两遍，没有值球所以最后还是量产不了，格式化失败。
教程呢就是这样的 ，比较简单的现在U盘基本都是。
速度没有EMMC那么快，还有一个就是主控方案，有的读取快 写入慢有的则反之，坏手机也可以拆下来DIY U盘。
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RTX 5090要首发 性能要翻倍！三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB，每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps（PAM3），但也可以降至28 Gbps，以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示，GDDR7内存的能效将提高20%，同时工作电压仅为1.1V，低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计，使得在高速运行时的发热量降低，GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。