南强小屋 Design By 杰米

  人类进入到信息化时代之后,电脑在我们生活中占有的比例越来越高。聊天、游戏、炒股几乎是人人都会的简单操作。电脑系统、应用程序成了这个领域更为新鲜的话题。很多年轻人自学电脑系统,但是有时候为了安装一个电脑系统,却会因为缺少一个光驱而没办法进行,也会因为随身带一张光盘四处跑而觉得麻烦。其实,光盘完全可以用小巧的U盘代替。那么U盘的dos启动盘制作怎么操作呢?

  u盘dos启动盘制作方法

  工具:

  1、请确认你的电脑主板支持U盘启动。2、U盘1个,至少2G大小。3、请事先下载好usboot到电脑

  方法:

  首先,请备份U盘内容,因为制作启动盘时,会将这个盘格式化。下载USBOOT.EXE,下载后把UBBOOT程序解压缩出来,再把你的U盘插上,按照下面的步骤就可以把你的U盘制作成DOS启动型的(注意事先备份U盘中有用的数据)USBOOT运行后。

  1.选中你的U盘;

  2.点击蓝色的字选择工作模式;

  3.强烈建议选择ZIP模式!HDD模式和FDD模式建议在ZIP模式不能正常工作时再试用;ZIP模式是指把U盘模拟成ZIP驱动器模式,启动后U盘的盘符是A:HDD模式是指把U盘模拟成硬盘模式;特别注意:如果选择了HDD模式,那么这个启动U盘启动后的盘符是C:,在对启动分区进行操作时就容易产生很多问题,比如:装系统时安装程序会把启动文件写到U盘而不是你硬盘的启动分区!导致系统安装失败。所以请尽量先选择ZIP模式。FDD模式是指把U盘模拟成软驱模式,启动后U盘的盘符是A:,这个模式的U盘在一些支持USB-FDD启动的机器上启动时会找不到U盘,所以请酌情使用;

  4.点击《开始》,开始制作;

  5.出现对话框时,确保你的U盘中数据已没用,再选择《是》;

  6.启动盘制作时出现提示,请按正常程序拔下U盘。Win9x系统:可直接拔下U盘Win2000、XP、2003、WIN7系统:请双击任务栏右侧红色圆圈内的《安全删除硬件》图标,正常卸载U盘;

  7.请再次插上U盘;

  8.稍后就会出现成功的提示,说明你的U盘目前已经是可启动基本DOS的了,点击右上角的×关闭USBOOT。将前面下载的MAXDOS压缩包,把里面的所有文件释放到U盘的根目录下,注意必须是根目录!至此,你已经有了一个功能不错的DOS启动U盘了。用这个U盘启动计算机:将U盘插入主板USB接口(最好将其他无关的USB设备暂时拔掉),重启电脑,在系统自检的界面上按Del键进入BIOS,设置(如果是特殊BIOS,请参考主板手册后确定按哪个键进入BIOS),进入BIOS FEATURES SETUP中,将Boot Sequence(启动顺序)设定为USB-ZIP(或USB-HDD、USB-FDD,请与你制作的U盘工作模式对应)第一,设定的方法是在该项上按PageUP或PageDown键来转换选项。设定好后按ESC一下,退回BIOS主界面,选择Save and Exit(保存并退出BIOS设置,直接按F10也可以,但不是所有的BIOS都支持)回车确认退出BIOS设置。

  制作DOS启动光盘

  以使用Ultra ISO制作支持鼠标、光驱、U盘的DOS启动光盘镜像文件为例介绍方法:

  首先,运行Ultra ISO V8.62,在程序主窗口中依次单击“文件”→“新建”→“启动光盘映像”菜单命令。

  接下来,打开“加载引导文件”对话框,找到并选中下载得到的DOS启动软盘镜像文件CDROM-1218.ima,然后单击“打开”按钮。

  然后,返回Ultra ISO程序主窗口,在“本地目录”窗格中找到并选中解压后的DOS实用工具文件夹。然后选中并右键单击全部DOS工具,选择“添加”命令。

  下面,设置完毕后依次单击“文件”→“保存”菜单命令。打开“ISO文件另存”对话框,设置文件保存位置并命名该文件,最后单击“保存”按钮。就完成了。

  有了u盘dos启动盘,资料的携带更为方便,而且,一般的U盘容量比光盘要大的多,存储操作也更为简单方便,因为大部分光盘都是只读状态,一张光盘也只能存储一样信息,U盘在信息的存储上完胜了光盘。当然,将u盘作为dos启动盘来使用也不完全都是益处,因为市面上有很多扩容后出售的U盘,实际存储空间没有那么大,所以在使用的时候,储存的信息就会发生遗漏,这样一来,u盘改造的dos启动盘反而会给人带来麻烦。

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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存

三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。

首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。

据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。